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1.粗糙化蝕刻 通過進料檢測的矽晶片於此階段去除切片之鋸痕,並以酸液將晶片表面蝕刻成粗糙面, 降低入射光之反射率,使入射之光能得以充分利用。 |
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2.磷擴散 晶片在高溫爐中通入含磷氣體, 使電洞較多的P型矽晶片表層滲入磷, 形成電子較多的N型區域。此即光電轉換效應所需的P-N junction。 |
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3.磷玻璃蝕刻 磷擴散過程中會在整片晶片外層形成磷玻璃, 必須以酸洗去除後才能進行後續製程。 |
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4.電漿輔助化學汽相沉積 矽甲烷與氨氣在高溫爐中反應, 於晶片表面形成氮化矽抗反射鍍層, 其顏色以藍色為主, 因鍍層厚度不同也可能呈藍紫色或淺藍色。 |
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5.網印 正反面之粗細電極皆以網印之方式將含銀、含鋁之漿料印製於晶片表面, 此製程分三段進行, 第一站印製正面, 第二段印製反面粗電極, 第三段則以鋁漿印滿反面其餘面積。各站之間均需經過烘乾爐以及光學檢測系統, 以確保網印內容及定位正確無誤。 |
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6.快速燒結 金屬漿料經過網印、烘乾之步驟, 需經過燒結處理才能穿透正面氮化矽鍍層並滲入矽晶片表層, 緊密結合並將電流導出。各階段熱處理之溫度設定對於產品效率以及粗電極可焊性、焊接強度皆有影響。 |
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7.雷射晶邊絕緣 以P型矽晶片製作之太陽能電池正面為負極(-), 背面為正極(+), 為避免正負兩極之間在晶片邊緣有短路之現象, 需以雷射光束沿晶片邊緣處切割出一道深度超過P-N junction之凹槽, 如此電流才能正確導出。此功能也可由電漿處理或化學蝕刻製程進行。 |
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8.效能測試及分類 所有產品以全自動設備檢測正反面外觀以及量測光電轉換效率等電性資料後, 依據本公司設定之產品分類定義進行篩選分類, 其中用以校正電性量測機台之標準片定期送交德國Fraunhofer ISE檢測, 以確保產品標示效率等級之正確性。 |
